შერჩევითი ენა

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(დახურეთ ცარიელი სივრცე)
მთავარიპროდუქციადისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტებიტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - კოლექტორებიAPTMC60TLM14CAG

APTMC60TLM14CAG- ის ეტიკეტისა და სხეულის აღნიშვნა შეკვეთის შემდეგ შეგიძლიათ.

APTMC60TLM14CAG

მეგა წყარო #: MEGA-APTMC60TLM14CAG
მწარმოებელი: Microsemi
შეფუთვა: Bulk
აღწერა: MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
როჰსი შეესაბამება: იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
Datasheet:

ჩვენი სერტიფიკაცია

სწრაფი RFQ

Საწყობში: 57124

გთხოვთ, გაგზავნოთ RFQ, ჩვენ დაუყოვნებლივ ვუპასუხებთ.
( * სავალდებულოა)

რაოდენობა

პროდუქტის აღწერა

ჩვენ APTMC60TLM14CAG- ის დისტრიბუტორს ვატარებთ ძალიან კონკურენტუნარიანი ფასით.შეამოწმეთ APTMC60TLM14CAG უახლესი Pirce, ინვენტარი და ტყვიის დრო ახლა სწრაფი RFQ ფორმის გამოყენებით.APTMC60TLM14CAG- ის ხარისხისა და ავთენტურობისადმი ჩვენი ვალდებულება ურყევია და ჩვენ განვახორციელეთ მკაცრი ხარისხის შემოწმების და მიწოდების პროცესები, რათა უზრუნველყოს APTMC60TLM14CAG- ის მთლიანობა.ასევე შეგიძლიათ იპოვოთ APTMC60TLM14CAG მონაცემთა ცხრილი აქ.

სპეციფიკაციები

სტანდარტული შეფუთვა ინტეგრირებული მიკროსქემის კომპონენტები APTMC60TLM14CAG

Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ)
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი SP6
სერია -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 150A, 20V
სიმძლავრე - მაქს 925W
შეფუთვა Bulk
პაკეტი / საქმე SP6
ოპერაციული ტემპერატურა -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი Chassis Mount
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) 1 (Unlimited)
მწარმოებელი სტანდარტული წამყვანი დრო 32 Weeks
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი Lead free / RoHS Compliant
შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
FET ტიპი 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET ფუნქცია Silicon Carbide (SiC)
გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) 1200V (1.2kV)
დეტალური აღწერა Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C 219A (Tc)

APTMC60TLM14CAG FAQ

ჩვენი კარგი ხარისხის პროდუქტია?არსებობს ხარისხის უზრუნველყოფა?
Qჩვენი პროდუქტები მკაცრი სკრინინგის საშუალებით, იმის უზრუნველსაყოფად, რომ მომხმარებლებმა შეიძინონ ნამდვილი, უზრუნველყოფილი პროდუქტები, თუ არსებობს ხარისხის პრობლემები, ნებისმიერ დროს შეიძლება დაბრუნდეს!
საიმედოა MEGA SOURCE კომპანიები?
Qჩვენ დაარსდა 20 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში, ყურადღება გამახვილებულია ელექტრონიკის ინდუსტრიაზე და ვცდილობთ მომხმარებლებს მიაწოდონ საუკეთესო ხარისხის IC პროდუქტები
რაც შეეხება გაყიდვების შემდეგ მომსახურებას?
Q100 -ზე მეტი პროფესიონალი მომხმარებელთა მომსახურების გუნდი, 7*24 საათი, რომ უპასუხოს ყველა სახის კითხვას
აგენტია?ან შუამავალი?
QMEGA SOURCE არის წყაროს აგენტი, შეწყვიტა შუამავალი, ამცირებს პროდუქტის ფასს უდიდესად და მომხმარებლების სარგებელი

20

ინდუსტრიის ექსპერტიზა

100

შეკვეთების ხარისხი შემოწმებულია

2000

კლიენტები

15,000

საწყობის საწყობი
MegaSource Co., LTD.