შერჩევითი ენა

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(დახურეთ ცარიელი სივრცე)
მთავარიპროდუქციადისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტებიტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - SingleRDN080N25FU6
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6- ის ეტიკეტისა და სხეულის აღნიშვნა შეკვეთის შემდეგ შეგიძლიათ.

RDN080N25FU6

მეგა წყარო #: MEGA-RDN080N25FU6
მწარმოებელი: LAPIS Technology
შეფუთვა: Bulk
აღწერა: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
როჰსი შეესაბამება: იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
Datasheet:

ჩვენი სერტიფიკაცია

სწრაფი RFQ

Საწყობში: 54177

გთხოვთ, გაგზავნოთ RFQ, ჩვენ დაუყოვნებლივ ვუპასუხებთ.
( * სავალდებულოა)

რაოდენობა

პროდუქტის აღწერა

ჩვენ RDN080N25FU6- ის დისტრიბუტორს ვატარებთ ძალიან კონკურენტუნარიანი ფასით.შეამოწმეთ RDN080N25FU6 უახლესი Pirce, ინვენტარი და ტყვიის დრო ახლა სწრაფი RFQ ფორმის გამოყენებით.RDN080N25FU6- ის ხარისხისა და ავთენტურობისადმი ჩვენი ვალდებულება ურყევია და ჩვენ განვახორციელეთ მკაცრი ხარისხის შემოწმების და მიწოდების პროცესები, რათა უზრუნველყოს RDN080N25FU6- ის მთლიანობა.ასევე შეგიძლიათ იპოვოთ RDN080N25FU6 მონაცემთა ცხრილი აქ.

სპეციფიკაციები

სტანდარტული შეფუთვა ინტეგრირებული მიკროსქემის კომპონენტები RDN080N25FU6

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
ტექნიკა MOSFET (Metal Oxide)
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი TO-220FN
სერია -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
დენის წყობა (მაქსიმალური) 35W (Tc)
შეფუთვა Bulk
პაკეტი / საქმე TO-220-3 Full Pack
ოპერაციული ტემპერატურა 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი Through Hole
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) 1 (Unlimited)
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი Lead free / RoHS Compliant
შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET ტიპი N-Channel
FET ფუნქცია -
Drive Voltage (Max საკაბელო On, Min RDS On) 10V
გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) 250V
დეტალური აღწერა N-Channel 250V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)

RDN080N25FU6 FAQ

ჩვენი კარგი ხარისხის პროდუქტია?არსებობს ხარისხის უზრუნველყოფა?
Qჩვენი პროდუქტები მკაცრი სკრინინგის საშუალებით, იმის უზრუნველსაყოფად, რომ მომხმარებლებმა შეიძინონ ნამდვილი, უზრუნველყოფილი პროდუქტები, თუ არსებობს ხარისხის პრობლემები, ნებისმიერ დროს შეიძლება დაბრუნდეს!
საიმედოა MEGA SOURCE კომპანიები?
Qჩვენ დაარსდა 20 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში, ყურადღება გამახვილებულია ელექტრონიკის ინდუსტრიაზე და ვცდილობთ მომხმარებლებს მიაწოდონ საუკეთესო ხარისხის IC პროდუქტები
რაც შეეხება გაყიდვების შემდეგ მომსახურებას?
Q100 -ზე მეტი პროფესიონალი მომხმარებელთა მომსახურების გუნდი, 7*24 საათი, რომ უპასუხოს ყველა სახის კითხვას
აგენტია?ან შუამავალი?
QMEGA SOURCE არის წყაროს აგენტი, შეწყვიტა შუამავალი, ამცირებს პროდუქტის ფასს უდიდესად და მომხმარებლების სარგებელი

20

ინდუსტრიის ექსპერტიზა

100

შეკვეთების ხარისხი შემოწმებულია

2000

კლიენტები

15,000

საწყობის საწყობი
MegaSource Co., LTD.