შერჩევითი ენა

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(დახურეთ ცარიელი სივრცე)
მთავარიპროდუქციადისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტებიტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - SingleFDB3632
FDB3632

FDB3632- ის ეტიკეტისა და სხეულის აღნიშვნა შეკვეთის შემდეგ შეგიძლიათ.

FDB3632

მეგა წყარო #: MEGA-FDB3632
მწარმოებელი: AMI Semiconductor/onsemi
შეფუთვა: Tape & Reel (TR)
აღწერა: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
როჰსი შეესაბამება: იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
Datasheet:

ჩვენი სერტიფიკაცია

სწრაფი RFQ

Საწყობში: 50083

გთხოვთ, გაგზავნოთ RFQ, ჩვენ დაუყოვნებლივ ვუპასუხებთ.
( * სავალდებულოა)

რაოდენობა

პროდუქტის აღწერა

ჩვენ FDB3632- ის დისტრიბუტორს ვატარებთ ძალიან კონკურენტუნარიანი ფასით.შეამოწმეთ FDB3632 უახლესი Pirce, ინვენტარი და ტყვიის დრო ახლა სწრაფი RFQ ფორმის გამოყენებით.FDB3632- ის ხარისხისა და ავთენტურობისადმი ჩვენი ვალდებულება ურყევია და ჩვენ განვახორციელეთ მკაცრი ხარისხის შემოწმების და მიწოდების პროცესები, რათა უზრუნველყოს FDB3632- ის მთლიანობა.ასევე შეგიძლიათ იპოვოთ FDB3632 მონაცემთა ცხრილი აქ.

სპეციფიკაციები

სტანდარტული შეფუთვა ინტეგრირებული მიკროსქემის კომპონენტები FDB3632

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
ტექნიკა MOSFET (Metal Oxide)
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი D²PAK
სერია PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 80A, 10V
დენის წყობა (მაქსიმალური) 310W (Tc)
შეფუთვა Tape & Reel (TR)
პაკეტი / საქმე TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Სხვა სახელები FDB3632TR
ოპერაციული ტემპერატურა -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი Surface Mount
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) 1 (Unlimited)
მწარმოებელი სტანდარტული წამყვანი დრო 10 Weeks
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი Lead free / RoHS Compliant
შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET ტიპი N-Channel
FET ფუნქცია -
Drive Voltage (Max საკაბელო On, Min RDS On) 6V, 10V
გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) 100V
დეტალური აღწერა N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 80A (Tc)

FDB3632 FAQ

ჩვენი კარგი ხარისხის პროდუქტია?არსებობს ხარისხის უზრუნველყოფა?
Qჩვენი პროდუქტები მკაცრი სკრინინგის საშუალებით, იმის უზრუნველსაყოფად, რომ მომხმარებლებმა შეიძინონ ნამდვილი, უზრუნველყოფილი პროდუქტები, თუ არსებობს ხარისხის პრობლემები, ნებისმიერ დროს შეიძლება დაბრუნდეს!
საიმედოა MEGA SOURCE კომპანიები?
Qჩვენ დაარსდა 20 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში, ყურადღება გამახვილებულია ელექტრონიკის ინდუსტრიაზე და ვცდილობთ მომხმარებლებს მიაწოდონ საუკეთესო ხარისხის IC პროდუქტები
რაც შეეხება გაყიდვების შემდეგ მომსახურებას?
Q100 -ზე მეტი პროფესიონალი მომხმარებელთა მომსახურების გუნდი, 7*24 საათი, რომ უპასუხოს ყველა სახის კითხვას
აგენტია?ან შუამავალი?
QMEGA SOURCE არის წყაროს აგენტი, შეწყვიტა შუამავალი, ამცირებს პროდუქტის ფასს უდიდესად და მომხმარებლების სარგებელი

20

ინდუსტრიის ექსპერტიზა

100

შეკვეთების ხარისხი შემოწმებულია

2000

კლიენტები

15,000

საწყობის საწყობი
MegaSource Co., LTD.