შერჩევითი ენა

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(დახურეთ ცარიელი სივრცე)
მთავარიპროდუქციადისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტებიტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - კოლექტორებიAPTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G- ის ეტიკეტისა და სხეულის აღნიშვნა შეკვეთის შემდეგ შეგიძლიათ.

APTM120A65FT1G

მეგა წყარო #: MEGA-APTM120A65FT1G
მწარმოებელი: Microsemi
შეფუთვა: Bulk
აღწერა: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
როჰსი შეესაბამება: იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
Datasheet:

ჩვენი სერტიფიკაცია

სწრაფი RFQ

Საწყობში: 58673

გთხოვთ, გაგზავნოთ RFQ, ჩვენ დაუყოვნებლივ ვუპასუხებთ.
( * სავალდებულოა)

რაოდენობა

პროდუქტის აღწერა

ჩვენ APTM120A65FT1G- ის დისტრიბუტორს ვატარებთ ძალიან კონკურენტუნარიანი ფასით.შეამოწმეთ APTM120A65FT1G უახლესი Pirce, ინვენტარი და ტყვიის დრო ახლა სწრაფი RFQ ფორმის გამოყენებით.APTM120A65FT1G- ის ხარისხისა და ავთენტურობისადმი ჩვენი ვალდებულება ურყევია და ჩვენ განვახორციელეთ მკაცრი ხარისხის შემოწმების და მიწოდების პროცესები, რათა უზრუნველყოს APTM120A65FT1G- ის მთლიანობა.ასევე შეგიძლიათ იპოვოთ APTM120A65FT1G მონაცემთა ცხრილი აქ.

სპეციფიკაციები

სტანდარტული შეფუთვა ინტეგრირებული მიკროსქემის კომპონენტები APTM120A65FT1G

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი SP1
სერია -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780 mOhm @ 14A, 10V
სიმძლავრე - მაქს 390W
შეფუთვა Bulk
პაკეტი / საქმე SP1
ოპერაციული ტემპერატურა -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი Chassis Mount
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) 1 (Unlimited)
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი Lead free / RoHS Compliant
შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET ტიპი 2 N-Channel (Half Bridge)
FET ფუნქცია Standard
გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) 1200V (1.2kV)
დეტალური აღწერა Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C 16A

APTM120A65FT1G FAQ

ჩვენი კარგი ხარისხის პროდუქტია?არსებობს ხარისხის უზრუნველყოფა?
Qჩვენი პროდუქტები მკაცრი სკრინინგის საშუალებით, იმის უზრუნველსაყოფად, რომ მომხმარებლებმა შეიძინონ ნამდვილი, უზრუნველყოფილი პროდუქტები, თუ არსებობს ხარისხის პრობლემები, ნებისმიერ დროს შეიძლება დაბრუნდეს!
საიმედოა MEGA SOURCE კომპანიები?
Qჩვენ დაარსდა 20 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში, ყურადღება გამახვილებულია ელექტრონიკის ინდუსტრიაზე და ვცდილობთ მომხმარებლებს მიაწოდონ საუკეთესო ხარისხის IC პროდუქტები
რაც შეეხება გაყიდვების შემდეგ მომსახურებას?
Q100 -ზე მეტი პროფესიონალი მომხმარებელთა მომსახურების გუნდი, 7*24 საათი, რომ უპასუხოს ყველა სახის კითხვას
აგენტია?ან შუამავალი?
QMEGA SOURCE არის წყაროს აგენტი, შეწყვიტა შუამავალი, ამცირებს პროდუქტის ფასს უდიდესად და მომხმარებლების სარგებელი

20

ინდუსტრიის ექსპერტიზა

100

შეკვეთების ხარისხი შემოწმებულია

2000

კლიენტები

15,000

საწყობის საწყობი
MegaSource Co., LTD.